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AO4822-HXY
2个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- 这款场效应管具有8.5A的电流承载能力，30V的工作电压，以及15mR的典型内阻。其VGS为20V，采用N+N结构。适用于多种高性能电子设备，确保稳定运行。它的高电流、低内阻特性，适合对电源管理有严格要求的场景。
- 商品型号
- AO4822-HXY
- 商品编号
- C4748745
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.204克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 |
商品概述
AO4828-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 6.5A
- RDS(ON) < 36 mΩ（VGS = 10V时）
- RDS(ON) < 48 mΩ（VGS = 4.5V时）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源