温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO4842-HXY
2个N沟道 耐压:30V 电流:8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该场效应管是一款N+N沟道器件，设计用于高效电路控制。其主要参数包括最大连续漏极电流8.5A，能够承受高达30V的电压。在典型工作条件下，内阻仅为17mΩ，确保了较低的功耗和较高的能效比。此外，该器件支持20V的栅源电压（VGS），适用于需要快速开关操作且对功率损耗有严格要求的应用场合。凭借这些特性，它非常适合于各种精密电子设备中，以实现紧凑、高效的电源管理解决方案。
- 商品型号
- AO4842-HXY
- 商品编号
- C4748746
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.202克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO4612-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 5A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 70mΩ
- VDS = -60V，ID = -4A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 140mΩ
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机