AO4842-HXY
2个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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描述
该场效应管是一款N+N沟道器件，设计用于高效电路控制。其主要参数包括最大连续漏极电流8.5A，能够承受高达30V的电压。在典型工作条件下，内阻仅为17mΩ，确保了较低的功耗和较高的能效比。此外，该器件支持20V的栅源电压（VGS），适用于需要快速开关操作且对功率损耗有严格要求的应用场合。凭借这些特性，它非常适合于各种精密电子设备中，以实现紧凑、高效的电源管理解决方案。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
AO4842-HXY商品编号
C4748746商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.202克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 18mΩ@10V,7A | |
| 功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 572pF@15V |
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