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FDMQ8203
2个N沟道+2个P沟道 耐压:100V 电流:6A
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- 描述
- 与二极管桥相比，此四 mosfet 解决方案在功率耗散方面提供了十倍改善。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMQ8203
- 商品编号
- C510968
- 商品封装
- MLP-12(4.5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道+2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V,2.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 22W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 210pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 全桥 |
商品概述
与二极管电桥相比，这种四MOSFET解决方案的功耗降低至原来的十分之一。
商品特性
- Q1/Q4：N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 3 A时，最大RDS(on) = 110 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 2.4 A时，最大RDS(on) = 175 mΩ
- Q2/Q3：P沟道
- 在VGS = -10 V、ID = -2.3 A时，RDS(on) = 190 mΩ
- 在VGS = -4.5 V、ID = -2.1 A时，最大RDS(on) = 235 mΩ
应用领域
- 高效桥式整流器
- PD解决方案中的显著效率优势