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FDMQ8203
2个N沟道+2个P沟道 耐压:80V 耐压:100V 电流:2.6A 电流:3.4A
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描述
与二极管桥相比，此四 mosfet 解决方案在功率耗散方面提供了十倍改善。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
FDMQ8203商品编号
C510968商品封装
MLP-12(4.5x5)包装方式
编带
商品毛重
0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道+2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V；80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A；2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 110mΩ@3A,10V | |
| 功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 210pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | 全桥 |
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