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DMTH10H025LK3Q-13-HXY
N-SGT增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有100V漏源电压（VDSS）和40A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至20毫欧，支持高频、高效率的开关操作。器件结构经过优化设计，具备良好的热稳定性和较低的开关损耗，适用于电源转换器、电机驱动电路、智能家电以及通信设备中的功率控制部分，适合对性能与可靠性有较高要求的电子系统应用。
- 商品型号
- DMTH10H025LK3Q-13-HXY
- 商品编号
- C49420406
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.366克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 822pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
DMTH10H025LK3Q-13采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V,漏极电流ID = 40A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 23mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
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