DMT10H025SK3-13-HXY

N-SGT增强型MOSFET

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描述: 本N沟道场效应管（MOSFET）具有100V漏源电压（VDSS）和40A连续漏极电流（ID）能力，适用于多种中高功率电路设计。导通电阻（RDON）低至20mΩ，有效降低导通损耗，提升系统能效。器件结构稳定，具备良好的热管理和可靠性表现，适合用于电源开关、电机控制、LED驱动及家用智能设备等多种应用场景，满足对性能与耐用性有较高要求的电路需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMT10H025SK3-13-HXY
商品编号: C49420403
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.366克(g)

商品参数