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SUD40N10-25-E3-HXY
N-SGT增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有100V的漏源耐压（VDSS），可承载高达40A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至20毫欧，适用于高效率、高频开关应用。器件采用先进的制造工艺，具备良好的热稳定性和优异的导通损耗表现，适合用于电源转换、电机控制、储能系统及高性能计算设备中的功率管理模块，为复杂电路设计提供可靠支持。
- 商品型号
- SUD40N10-25-E3-HXY
- 商品编号
- C49420404
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.366克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 822pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23.5pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
SUD40N10-25-E3采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V,漏极电流ID = 40A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 23mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
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