温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMTH10H025SK3-13-HXY
N-SGT增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备100V漏源电压（VDSS）和40A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）仅为20毫欧，适用于高效率功率开关设计。器件采用优化的晶圆结构，提升了开关速度与热稳定性，可广泛用于电源适配器、电池管理系统、智能家电及通信设备中的功率控制电路，满足对能效与可靠性要求较高的应用场景。
- 商品型号
- DMTH10H025SK3-13-HXY
- 商品编号
- C49420405
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.366克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 822pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23.5pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
DMTH10H025SK3 - 13采用先进的SGT MOSFET技术，提供低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V,漏极电流ID = 40A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 23mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
- TO - 252 - 2L封装
- N沟道SGT MOSFET
相似推荐
其他推荐
- DMTH10H025LK3Q-13-HXY
- SQD40N10-25-T4_GE3-HXY
- IRFH5010TRPBF-HXY
- BSC096N10LS5ATMA1-HXY
- BSC100N10NSFG-HXY
- ISC0805NLSATMA1-HXY
- RS1P600BHTB1-HXY
- IRLH5030TRPBF-HXY
- NTMFS5C670NLT1G-HXY
- NTMFS5C670NT1G-HXY
- DMTH6010LPSWQ-13-HXY
- BSC0703LSATMA1-HXY
- DMTH6010LPS-13-HXY
- NVMFS5H663NLWFT1G-HXY
- NVMFS5C670NLWFAFT3G-HXY
- NVMFS5C670NLAFT1G-HXY
- RJK0355DSP-HXY
- SIS429DNT-T1-GE3-HXY
- SM4185T9RL-HXY
- NVATS5A107PLZT4G-HXY
- NVMFS024N06CT1G-HXY