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NVD6824NLT4G-VF01-HXY
N-SGT增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备100V漏源耐压（VDSS）与40A最大漏极电流（ID），适用于多种中高功率电路场景。其导通电阻低至20mΩ（RDON），有助于减少导通状态下的能量损耗，提高整体效率。器件采用成熟稳定的封装工艺，具备良好的散热性能和长期可靠性，适合用于电源转换、电机驱动、LED照明以及智能家电等领域的开关与控制应用。
- 商品型号
- NVD6824NLT4G-VF01-HXY
- 商品编号
- C49420402
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.366克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 822pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23.5pF | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
NVD6824NLT4G-VF01采用先进的SGT MOSFET技术，具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件专为提高耐用性而设计。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V，漏极电流ID = 40A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 23mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
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