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SM2910T9RL-HXY
N-SGT增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有100V的漏源击穿电压（VDSS）和40A的最大连续漏极电流（ID），适合中高功率应用。导通电阻仅为20mΩ（RDON），可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用标准封装形式，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源管理、开关电路、电机控制及LED照明等场景，为电路设计提供了较高的灵活性与性能保障。
- 商品型号
- SM2910T9RL-HXY
- 商品编号
- C49420401
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.366克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 822pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
SM2910T9RL采用先进的SGT MOSFET技术,具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具有更好的耐用性。
商品特性
- VDS = 100V,ID = 40A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 23mΩ
应用领域
-消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离式直流
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