SM2910T9RL-HXY

N-SGT增强型MOSFET

描述

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有100V的漏源击穿电压（VDSS）和40A的最大连续漏极电流（ID），适合中高功率应用。导通电阻仅为20mΩ（RDON），可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用标准封装形式，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源管理、开关电路、电机控制及LED照明等场景，为电路设计提供了较高的灵活性与性能保障。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SM2910T9RL-HXY

商品编号

C49420401

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.366克(g)