温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IAUC45N04S6N070HATMA1-HXY
双N沟道SGT增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本款N+N沟道场效应管（MOSFET）采用双N沟道设计，单管漏源耐压（VDSS）为40V，可持续通过漏极电流（ID）达40A，导通电阻（RDON）低至6.9毫欧。该器件适用于高密度电源转换系统，如高效DC-DC变换器、同步整流模块及电池管理系统，具备优良的热稳定性和低开关损耗特性，可满足高性能电子设备对功率处理能力与能效转换的严格要求。
- 商品型号
- IAUC45N04S6N070HATMA1-HXY
- 商品编号
- C48996520
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.153333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V；6.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 193pF |
商品概述
PMV50XPAR采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = - 20V，ID = - 4.2A
- 在VGS = - 4.5V时，RDS(ON) < 55mΩ
- 在VGS = - 2.5V时，RDS(ON) < 75mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- P沟道MOSFET
相似推荐
其他推荐
- DMTH4007SPDQ-13-HXY
- NVMFD5C466NWFT1G-HXY
- DMTH4007SPD-13-HXY
- NTMFD5C466NT1G-HXY
- NVMFD5873NLT1G-HXY
- DMT2005UDV-7-HXY
- DMT35M4LFVW-7-HXY
- NVTFS4C08NWFTAG-HXY
- AOTL66912
- IPT015N10NF2SATMA1-HXY
- MVGSF1N03LT1G-HXY
- XP236N2001TR-G-HXY
- NVTR4503NT1G-HXY
- KMA3D0N20SA-HXY
- IPD160N04LG-HXY
- DMT6015LFV-7-HXY
- DMTH6016LFVWQ-7-A-HXY
- DMTH6016LFVWQ-13-A-HXY
- DMT615MLFV-13-HXY
- DMTH6016LFVW-13-HXY
- PMV20XNEAR-HXY