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NVMFS5C628NT1G-HXY
N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有125A的额定漏极电流ID和60V的漏源击穿电压VDSS，导通电阻RDON低至2.4mΩ，表现出优异的导通特性和开关响应。器件采用高密度封装，支持大电流工作条件，适用于各类高效电源系统、同步整流电路、储能变换装置及智能负载管理模块，在高频开关和低损耗设计中展现出良好的稳定性和可靠性。
- 商品型号
- NVMFS5C628NT1G-HXY
- 商品编号
- C48996345
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 113W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 74.37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.61nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.188nF |
商品概述
BSH205G2235采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -2.3A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 140mΩ
- 在VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 170mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
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