温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

DMTH6004LPS-13-HXY

N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: 本款N沟道场效应管（MOSFET）采用先进工艺制造，具备优异的导通和开关性能。其漏极电流ID可达125A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至2.4mΩ，有助于降低功耗并提高系统效率。该器件适用于高密度电源转换系统，如高效同步整流、DC-DC转换器及负载开关等应用场景，提供稳定可靠的功率控制能力。小型化封装设计有利于节省布局空间，同时满足高电流需求，是高性能电源管理方案的理想选择。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMTH6004LPS-13-HXY
商品编号: C48996344
商品封装: DFN5x6-8L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.145克(g)

商品参数

NTMFS4C59NT3G采用先进的SGT MOSFET技术，具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件专为提高耐用性而设计。