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DMTH6004LPSQ-13-HXY

N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET

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描述: 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能和稳定的可靠性，适用于多种高效率功率应用场景。其关键参数包括：最大漏极电流ID为125A，漏源击穿电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至2.4mΩ，有效降低导通损耗并提升整体系统效率。该器件具备快速开关响应与良好的热稳定性，适合用于电源转换、电机控制、储能系统以及高性能电子设备中的功率管理模块。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMTH6004LPSQ-13-HXY
商品编号: C48996343
商品封装: DFN5x6-8L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.146克(g)

商品参数

NTMFS5C628NT1G采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性。