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NVMFS5C638NLWFT1G-HXY
N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能和高可靠性，适用于多种高效能场景。其主要参数包括：最大漏极电流ID为125A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至2.4mΩ，有助于降低功耗并提升系统效率。该器件采用先进的工艺制造，具备良好的热稳定性和耐久性，适合用于电源管理、高频率开关电路以及需要紧凑设计与高效散热的应用环境。
- 商品型号
- NVMFS5C638NLWFT1G-HXY
- 商品编号
- C48996341
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 113W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74.37nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.61nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.188nF |
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