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CSD17310Q5A-HXY
N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能和高效能表现，适用于多种高要求电路设计。其漏极电流ID可达70A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至5.7mΩ，确保在高电流工作条件下仍具备良好的稳定性和较低的功率损耗。该器件采用先进工艺制造，具备快速开关响应和耐高温特性，适合应用于电源管理、高频变换器及各类精密电子设备中，为电路提供可靠的支持与保障。
- 商品型号
- CSD17310Q5A-HXY
- 商品编号
- C48996331
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 59W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF |
商品概述
CSD17310Q5A采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 60A
- RDS(ON) < 7mΩ,VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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