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STD80N10F7-HXY
N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有较高的电流承载能力，持续漏极电流ID可达70A，漏源电压VDSS为100V，适用于中高功率应用场景。导通电阻RDON低至8.2mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源管理、开关电路、电机控制及各类电子设备中的功率转换和调节模块。
- 商品型号
- STD80N10F7-HXY
- 商品编号
- C48996334
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.390909克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.368nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.9pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 451pF |
商品概述
STD80N10F7采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件专为提高耐用性而设计。TO-252-2L封装
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 70 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 17 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离直流
- 同步整流应用
- N沟道MOSFET
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