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STD80N10F7-HXY实物图
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STD80N10F7-HXY

N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有较高的电流承载能力，持续漏极电流ID可达70A，漏源电压VDSS为100V，适用于中高功率应用场景。导通电阻RDON低至8.2mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源管理、开关电路、电机控制及各类电子设备中的功率转换和调节模块。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
STD80N10F7-HXY
商品编号
C48996334
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.390909克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on))17mΩ@10V
耗散功率(Pd)100W
阈值电压(Vgs(th))2.3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)31.3nC@10V
输入电容(Ciss)1.368nF
反向传输电容(Crss)12.9pF
类型N沟道
输出电容(Coss)451pF

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