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DMTH6004SPSQ-13-HXY实物图
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DMTH6004SPSQ-13-HXY

N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET

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描述
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能表现，漏源电压VDSS为60V，可持续通过125A的大电流ID，导通电阻RDON低至2.4mΩ，有效降低功率损耗。器件适用于高效率开关电源、电机驱动、电池管理系统及各类中高功率电子设备，在高频工作环境下仍能保持稳定性能，满足对功率密度与能效有较高要求的应用场景。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
DMTH6004SPSQ-13-HXY
商品编号
C48996339
商品封装
DFN5x6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.145克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)125A
导通电阻(RDS(on))2.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)113W
阈值电压(Vgs(th))1.6V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)74.37nC@10V
输入电容(Ciss)4.61nF
反向传输电容(Crss)66pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)2.188nF

数据手册PDF

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