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DMTH6004SPSQ-13-HXY
N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能表现，漏源电压VDSS为60V，可持续通过125A的大电流ID，导通电阻RDON低至2.4mΩ，有效降低功率损耗。器件适用于高效率开关电源、电机驱动、电池管理系统及各类中高功率电子设备，在高频工作环境下仍能保持稳定性能，满足对功率密度与能效有较高要求的应用场景。
- 商品型号
- DMTH6004SPSQ-13-HXY
- 商品编号
- C48996339
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 113W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 74.37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.61nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.188nF |
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