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PMV28ENEAR-HXY
耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- 该款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS）和4A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至29毫欧，可有效降低导通损耗并提升系统效率。采用先进的工艺技术，具备良好的热稳定性和高频响应特性，适用于各类电源管理、开关电路以及小型电子设备中的功率控制场景，能够满足高效、低功耗设计的需求。
- 商品型号
- PMV28ENEAR-HXY
- 商品编号
- C48996336
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028788克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 233pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 44pF |
应用领域
- 反接电池保护-负载开关-电源管理-PWM应用
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