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PMV28ENER-HXY
N沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源电压（VDSS）和4A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）仅为29毫欧，有助于减少功率损耗并提升整体效率。器件采用成熟稳定的制造工艺，具有良好的温度特性和开关性能，适用于各类电源转换、负载开关、电池管理及小型电子设备中的功率控制应用，满足高效能与低功耗的设计需求。
- 商品型号
- PMV28ENER-HXY
- 商品编号
- C48996337
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 44pF |
商品概述
PMV28ENER采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 4A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 38mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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