温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMV28ENER-HXY
N沟道 耐压:30V 电流:4A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源电压（VDSS）和4A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）仅为29毫欧，有助于减少功率损耗并提升整体效率。器件采用成熟稳定的制造工艺，具有良好的温度特性和开关性能，适用于各类电源转换、负载开关、电池管理及小型电子设备中的功率控制应用，满足高效能与低功耗的设计需求。
- 商品型号
- PMV28ENER-HXY
- 商品编号
- C48996337
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 44pF |
商品概述
PMV28ENER采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V ID = 4A
- RDS(ON) < 38mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐
- STL140N6F7-HXY
- DMTH6004SPSQ-13-HXY
- IRFH7085TRPBF-HXY
- NVMFS5C638NLWFT1G-HXY
- ISC0702NLSATMA1-HXY
- DMTH6004LPSQ-13-HXY
- DMTH6004LPS-13-HXY
- NVMFS5C628NT1G-HXY
- NTMFS5C628NT1G-HXY
- NVMFS5C638NLT1G-HXY
- BSC027N06LS5ATMA1-HXY
- 2SK4178-ZK-E1-AY-HXY
- BSC050N0LSG-HXY
- DMT3006LPS-13-HXY
- ISC045N03L5S-HXY
- BSC060P03NS3EGATMA1-HXY
- SIR1309DP-T1-GE3-HXY
- DMPH3010LPS-13-HXY
- DMPH3010LPSQ-13-HXY
- RS1E220ATTB1-HXY
- DMP34M4SPS-13-HXY