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STD85N10F7AG-HXY
N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备70A的持续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），适用于多种中高功率电子系统。导通电阻（RDON）低至8.2mΩ，可有效减少导通状态下的能量损耗，提升整体效率。器件结构优化，具备良好的开关特性和热稳定性，适合应用于电源转换、电机驱动、储能管理以及各类电子设备中的高频开关电路，为系统提供高效、可靠的功率控制方案。
- 商品型号
- STD85N10F7AG-HXY
- 商品编号
- C48996335
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.394克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.368nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 451pF |
商品概述
STD85N10F7AG采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过特殊设计,具有更好的耐用性。TO - 252 - 2L封装
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 70 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON)< 17 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
- N沟道MOSFET
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