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BSH205G2235-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有20V漏源电压（VDSS）耐受能力，最大连续漏极电流（ID）为2.3A，导通电阻（RDON）典型值为120mΩ，可有效降低功率损耗。适用于各类中低功率电源开关、电池供电设备、DC-DC转换电路及负载控制应用，满足高效、小型化电路设计对稳定性和响应速度的要求。器件具备良好的热稳定性与可靠性，适合多种通用型功率控制场景。
- 商品型号
- BSH205G2235-HXY
- 商品编号
- C48996333
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 650mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 58pF |
优惠活动
购买数量
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