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BSH205G2215-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具备20V漏源耐压（VDSS），可支持最大连续漏极电流（ID）达2.3A，导通状态下的漏源电阻（RDON）典型值为120mΩ，有助于降低导通损耗。器件适用于各类中低功率开关电路，如电源开关、电池管理、DC-DC转换及负载驱动等场景，满足高效能与小型化电路设计需求，提供稳定可靠的开关性能。
- 商品型号
- BSH205G2215-HXY
- 商品编号
- C48996332
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028283克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 650mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58pF |
商品概述
BSH205G2215采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = - 20V, ID = - 2.3A
- RDS(ON) < 140mΩ(VGS = - 4.5V时)
- RDS(ON) < 170mΩ(VGS = - 2.5V时)
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
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