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CSD16404Q5A-HXY
N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- 本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有70A连续漏极电流（ID）和30V漏源耐压（VDSS），适用于多种中高电流、低电压应用场景。导通电阻（RDON）低至5.7mΩ，可显著降低导通损耗，提高能效。该器件具备良好的热稳定性和响应速度，适合用于电源管理模块、电池供电设备、通信系统以及各类高性能电子装置中的功率开关和同步整流电路。其低RDSON特性在大电流工作条件下尤为突出，有助于提升整体系统效率与可靠性。
- 商品型号
- CSD16404Q5A-HXY
- 商品编号
- C48996330
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.157778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V；5.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 59W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF |
优惠活动
购买数量
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