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NTMFS4C59NT3G-HXY
N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高电流处理能力和低导通电阻特性，适用于多种功率管理与电源转换应用。其主要参数包括：最大漏极电流ID为60A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON仅为4.3mΩ，有效降低功率损耗并提升系统效率。器件具有良好的热稳定性和快速开关响应能力，适合用于同步整流、电源分配、电池管理系统及高效能DC-DC转换器等场景，满足对性能和可靠性有较高要求的电路设计方案。
- 商品型号
- NTMFS4C59NT3G-HXY
- 商品编号
- C48996329
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.155克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NTMFS4C59NT3G采用先进的SGT MOSFET技术,具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件专为提高耐用性而设计。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V,漏极电流ID = 60 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 5.8 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
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