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NTMFS4C09NT3G-HXY
N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）采用先进工艺制造，具备低导通电阻与高电流承载能力，适用于多种高性能电源管理及功率转换场景。其主要参数包括：最大漏极电流ID为60A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通状态下的漏源电阻RDON仅为4.3mΩ，有助于减少导通损耗、提高转换效率。器件具有良好的热稳定性与开关特性，适合用于同步整流、直流电机控制、电源管理系统以及高密度电源模块等应用，满足对效率与可靠性有较高要求的电路设计需求。
- 商品型号
- NTMFS4C09NT3G-HXY
- 商品编号
- C48996328
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NTMFS4C09NT3G采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V,漏极电流ID = 60 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 5.8 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
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