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SIRA14DP-T1-GE3-HXY
N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能与开关特性，适用于多种高效能电源管理系统。其主要参数包括：漏极电流ID为60A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至4.3mΩ，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适合应用于高密度电源转换、同步整流、负载开关及电池管理等场景，为电路设计提供灵活而高效的解决方案。
- 商品型号
- SIRA14DP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C48996327
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 814pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 498pF |
商品概述
SIRA14DP-T1-GE3采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件专为提高耐用性而设计。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V,漏极电流ID = 60 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 5.8 mΩ
应用领域
-消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离式直流-同步整流应用
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