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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LM5145RGYR

6V至75V同步降压控制器

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描述
LM5145 是一款 6V 至 75V 同步降压控制器,具有宽占空比范围,适用于远程无线电单元 (RRU) 和基站 (BTS)、网络和计算电源、非隔离 PoE 和 IP 摄像头、工业电机驱动、医疗级和工业级应用。它支持 0.8V 至 60V 的可调输出电压,具有 100kHz 至 1MHz 的可编程开关频率,支持外部时钟同步,内置 7.5V 栅极驱动器,支持低侧软启动和预偏置启动,具有快速线路和负载瞬态响应,电压模式控制和线前馈,强制 PWM 操作,精度使能输入和开漏电源良好指示器。
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
LM5145RGYR
商品编号
C485912
商品封装
VQFN-20-EP(3.5x4.5)​
包装方式
编带
商品毛重
0.074克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DC-DC电源芯片
功能类型降压型
工作电压6V~75V
输出电压800mV~60V
输出电流-
开关频率1MHz
工作温度-40℃~+125℃@(TJ)
属性参数值
同步整流
输出通道数1
拓扑结构降压式
静态电流(Iq)-
开关管(内置/外置)外置
输出类型可调

商品概述

LM5145 75V 同步降压控制器旨在从高输入电压源或承受高电压瞬变的输入轨进行稳压,最大限度减少对外部浪涌抑制元件的需求。高端开关的最小导通时间为 40 ns,有助于实现大降压比,可直接从标称 48V 输入降压转换为低压轨,从而降低系统复杂度和解决方案成本。LM5145 在输入电压低至 6V 的电压骤降期间仍能继续工作,必要时可实现接近 100% 的占空比,非常适合高性能工业控制、机器人、数据通信和射频功率放大器应用。 强制 PWM (FPWM) 操作可消除频率变化,以最大限度降低 EMI,而用户可选的二极管仿真功能可在轻载条件下降低电流消耗。逐周期过流保护可通过测量低端 MOSFET 两端的电压降或使用可选的电流检测电阻来实现。高达 1 MHz 的可调开关频率可与外部时钟源同步,以消除对噪声敏感的应用中的拍频。 LM5145 电压模式控制器通过适用于标准阈值 MOSFET 的强大 7.5V 栅极驱动器驱动外部高端和低端 N 沟道功率开关。具有 2.3A 源电流和 3.5A 灌电流能力的自适应定时栅极驱动器可最大限度减少开关转换期间体二极管的导通,在高输入电压和高频下驱动 MOSFET 时降低开关损耗并改善热性能。LM5145 可由开关稳压器的输出或其他可用电源供电,进一步提高效率。 SYNCOUT 处相对于内部振荡器的 180° 异相时钟输出非常适合级联或多通道电源,以减少输入电容纹波电流和 EMI 滤波器尺寸。LM5145 的其他特性包括可配置软启动、用于故障报告和输出监控的开漏电源正常监视器、向预偏置负载单调启动、集成 VCC 偏置电源稳压器和自举二极管、外部电源跟踪、带迟滞的精密使能输入以实现可调线路欠压锁定 (UVLO)、打嗝模式过载保护以及带自动恢复功能的热关断保护。 LM5145 控制器采用 3.5mm × 4.5mm 热增强型 20 引脚 VQFN 封装,为高压引脚提供额外间距,并具有可焊侧翼,便于对焊点圆角进行光学检查。

商品特性

  • 多功能同步降压 DC-DC 控制器,输入电压范围宽,为 6V 至 75V
  • 输出电压可调,范围为 0.8V 至 60V
  • 符合 EN55022 / CISPR 22 EMI 标准
  • 无损 RDS(on) 或分流电流检测
  • 开关频率范围为 100kHz 至 1MHz
  • 具备 SYNC 输入和 SYNC 输出功能
  • 最小导通时间为 40ns,适用于高 VIN / VOUT 比
  • 最小关断时间为 140ns,适用于低压差
  • 0.8V 基准电压,反馈精度为 ±1%
  • 7.5V 栅极驱动器,适用于标准 VTH MOSFET
  • 14ns 自适应死区时间控制,2.3A 源电流和 3.5A 灌电流能力
  • 低端软启动,适用于预偏置启动
  • 可调软启动或可选电压跟踪
  • 快速的线路和负载瞬态响应
  • 带线路前馈的电压模式控制,高增益带宽误差放大器
  • 精密使能输入和开漏电源
  • 良好的指示器,用于排序和控制
  • 具备强大设计所需的固有保护特性
  • 打嗝模式过流保护,带迟滞的输入 UVLO,VCC 和栅极驱动 UVLO 保护
  • 带迟滞的热关断保护
  • 带可焊侧翼的 VQFN-20 封装
  • 使用 WEBENCH 电源设计器基于 LM5145 创建定制设计

应用领域

  • 远程无线电单元 (RRU) 和基站
  • 网络和计算电源
  • 非隔离式 PoE 和 IP 摄像机
  • 工业电机驱动器