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FDP22N50N实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDP22N50N

1个N沟道 耐压:500V 电流:22A

描述
UniFETTM II MOSFET 是基于先进的平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此先进的 MOSFET 系列在平面 MOSFET 中具有最小的导通电阻,同时可提供出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。另外,内部门极电源 ESD 二极管使得 UniFET II MOSFET 能够承受 2kV 以上的 HBM 浪涌应力。此器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDP22N50N
商品编号
C462744
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.867克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)22A
导通电阻(RDS(on))185mΩ@10V,11A
耗散功率(Pd)312.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)49nC@10V
输入电容(Ciss)3.2nF@25V
反向传输电容(Crss)50pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

交货周期

订货315-317个工作日

购买数量

(1000个/管,最小起订量 1000 个)
起订量:1000 个1000个/管

总价金额:

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