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FDP22N50N
1个N沟道 耐压:500V 电流:22A
- 描述
- UniFETTM II MOSFET 是基于先进的平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此先进的 MOSFET 系列在平面 MOSFET 中具有最小的导通电阻，同时可提供出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。另外，内部门极电源 ESD 二极管使得 UniFET II MOSFET 能够承受 2kV 以上的 HBM 浪涌应力。此器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP22N50N
- 商品编号
- C462744
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 185mΩ@10V,11A | |
| 耗散功率(Pd) | 312.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UniFET™ II MOSFET是基于先进的平面条形和DMOS技术的高压MOSFET系列。该先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，还具备卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源ESD二极管使UniFET II MOSFET能够承受超过2kV的HBM浪涌应力。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。
商品特性
- RDS(on) = 185 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 11 A
- 低栅极电荷（典型值49 nC）
- 低Crss（典型值24 pF）
- 100%雪崩测试
- 改善dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- PDP电视
- 照明
- 不间断电源
- 交流-直流电源