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HCSD16340Q3
耐压:30V 电流:120A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有卓越的电气特性，最大漏极电流ID为150A，击穿电压VDSS达到30V，而导通电阻RDON低至3mΩ，工作于VGS=20V条件下。该MOSFET适用于高效率的电源管理及快速开关应用，例如电池充电器、便携式设备的电源适配器等场合，能够有效减少能量损耗，提升系统的整体性能。其小巧的封装设计也便于集成到各种紧凑型电子产品中。
- 商品型号
- HCSD16340Q3
- 商品编号
- C42401456
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
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