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HSI4850EYT1GE3
N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备30A的连续漏极电流（ID）和60V的最大漏源电压（VDSS），适用于广泛的电路设计需求。其导通电阻（RDS(on)）为20mΩ，在20V的栅源电压（VGS）下操作，保证了低损耗和高效的性能。该元件特别适合应用于电源管理、电池充电电路以及各种消费电子产品中，作为开关或放大元件，能够实现精确控制和稳定运行。
- 商品型号
- HSI4850EYT1GE3
- 商品编号
- C42401422
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |
商品概述
HSI4850EYT1GE3采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 30A
- RDS(ON) < 25mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源