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HBSZ0901NSIATMA1
N沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备高达150A的连续漏极电流（ID/A），适合应用于大电流需求的电路设计中。其耐压值（VDSS/V）为30V，适用于低压大电流场景。导通电阻（RDSON/mR）低至2毫欧，有助于减少电力损耗，提高系统的整体效率。栅源电压（VGS/V）的最大承受范围为20V，确保了驱动兼容性。该MOSFET可以用于高性能的电源开关、逆变器以及需要快速开关特性的电子装置中。
- 商品型号
- HBSZ0901NSIATMA1
- 商品编号
- C42401300
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品概述
HTK20S06K3LT6L1NQ采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V
- 漏极电流ID = 20 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 32 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源