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HSI1022RT1GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.115A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管(MOSFET)具备0.1A的漏极电流(ID)和60V的漏源电压(VDSS)，适用于需要较高耐压性能的小功率应用场景。其导通电阻为1300毫欧姆(RDON)，能够在保证电路正常工作的同时降低功耗。栅源电压(VGS)达到20V，确保了有效的开关控制。该MOSFET适合用于消费电子、便携式设备以及各种家用电器中的电源管理和信号控制等场景，是实现高效低功耗设计的理想选择。
- 商品型号
- HSI1022RT1GE3
- 商品编号
- C42401308
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
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