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HIRF7313TRPBF
N沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET拥有6A的持续排水电流（ID/A），可承受最大30V的漏源电压（VDSS/V）。其导通状态下电阻（RDSON）为25毫欧，当栅源电压（VGS/V）为20V时能有效降低功率损耗。适用于各类电子装置中的负载开关、电池供电设备的电源管理以及其他对空间和效率有严格要求的应用领域，确保了电路的可靠性和效率。
- 商品型号
- HIRF7313TRPBF
- 商品编号
- C42401179
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.132323克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
HIRF7313TRPBF采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 6 A
- 当VGS = 10 V时,RDS(ON) < 30 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 42 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源