温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HIRF3717
HIRF3717 停产
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此款N沟道场效应管（MOSFET）拥有20A的连续漏极电流（ID）、20V的最大漏源电压（VDSS）和仅6.3毫欧的导通电阻（RDS(on)），支持12V的栅源电压（VGS）。这些特性使得它非常适合应用于要求高效能和低热量产生的电路中，例如电源转换、电池管理系统及各类电子设备的开关控制。其超低的导通电阻不仅减少了功率损耗，还提高了系统的整体效率和可靠性。在需要快速响应和稳定性能的场合下，这款MOSFET是理想的选择。(IRF3717TRPBF)
- 商品型号
- HIRF3717
- 商品编号
- C42401178
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.121212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.63nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 810pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 960pF |
商品概述
HIRF3717采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20V
- 漏极电流ID = 20A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 5.5mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源