温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HFDS8958B
N沟道+P沟道 耐压:30V 电流:6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该款场效应管（MOSFET）为N+P沟道设计，具备6A的最大导通电流（ID/A），以及30V的最大漏源电压（VDSS/V）。其低至16毫欧姆的导通电阻（RDSON/mΩ），有助于减少能量损耗，提高系统的整体效率。该MOSFET支持±20V的栅源电压（VGS/V），便于实现精确的驱动控制。适用于各类消费电子产品中，如适配器内的开关应用、电池供电设备的电源路径管理以及其他需要高性能、低功耗特性的场合。
- 商品型号
- HFDS8958B
- 商品编号
- C42401177
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126263克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
HFDS8958B采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 6A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 22mΩ
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -5.5A
- 栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 45mΩ
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机