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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HIRLML0060

耐压:60V 电流:3A

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描述
此款N沟道场效应管具备出色的电气特性,其最大连续漏极电流可达3A,能够承受高达60V的漏源电压。该MOSFET拥有72毫欧姆的低导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。同时,它支持20V的最大栅源电压,确保了良好的开关性能。适用于需要高效能、紧凑设计及稳定工作的电子设备中,如电源管理、信号处理以及各种消费电子产品内作为开关或放大元件使用。
商品型号
HIRLML0060
商品编号
C42401170
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.028283克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))85mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.7W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
栅极电荷量(Qg)7.5nC@4.5V
输入电容(Ciss)510pF
反向传输电容(Crss)26pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-

数据手册PDF

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