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HIRLML0060
耐压:60V 电流:3A
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- 描述
- 此款N沟道场效应管具备出色的电气特性，其最大连续漏极电流可达3A，能够承受高达60V的漏源电压。该MOSFET拥有72毫欧姆的低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。同时，它支持20V的最大栅源电压，确保了良好的开关性能。适用于需要高效能、紧凑设计及稳定工作的电子设备中，如电源管理、信号处理以及各种消费电子产品内作为开关或放大元件使用。
- 商品型号
- HIRLML0060
- 商品编号
- C42401170
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028283克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |