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H2N7002K7
耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管具有60V的漏源电压耐受能力，最大连续漏极电流为0.3A。尽管其导通电阻相对较高，达到1000毫欧姆，但该MOSFET能够在20V的栅源电压下稳定工作。它适合应用于需要较小电流控制和高电压处理的场景，如便携式设备、小型电源管理电路及信号处理等消费电子产品中，提供可靠的开关与放大功能。
- 商品型号
- H2N7002K7
- 商品编号
- C42401174
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
H2N7002K7采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V,ID = 0.3 A
- RDS(ON) < 2 Ω @ VGS = 10 V
- ESD等级:HBM ≥ 2000V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源