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HIRF7424TRPBF
耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）提供12A的连续排水电流（ID），并支持30V的最大漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为10毫欧，在20V的栅源电压（VGS）下可稳定工作。由于其低导通电阻特性，这款MOSFET适用于各种需要高效能和精确控制的应用场景，比如在消费电子设备中作为电源管理电路的一部分，或是用于便携设备中的负载开关功能，确保了电路的可靠性和效率。
- 商品型号
- HIRF7424TRPBF
- 商品编号
- C42401175
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127273克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
HIRF7424TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = - 30V，漏极电流（ID） = - 12A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 15 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源