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HTPC8408LQ
N沟道+P沟道 耐压:40V 电流:7.2A
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- 描述
- 这款场效应管（MOSFET）属于N+P沟道类型，其最大导通电流（ID/A）为7.2A，能够承受的最大漏源电压（VDSS/V）为40V。在导通状态下的电压降非常低，表现为导通电阻（RDSON/mΩ）仅为23毫欧姆，在确保高效能的同时降低了功耗。此MOSFET的栅极与源极之间的电压（VGS/V）可以达到±20V，提供了良好的控制性能。适用于需要高效率和快速开关的应用中，如消费类电子产品中的电源管理、便携式设备的电源转换及保护电路等。
- 商品型号
- HTPC8408LQ
- 商品编号
- C42401176
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.131313克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.67W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 593pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品概述
HIRF7313TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 6 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 30 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 42 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源