HPMV15UNEAR
耐压:20V 电流:6.5A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET具有6.5A的连续排水电流(ID/A),最大工作电压(VDSS/V)为20V,导通电阻(RDSON/mR)仅14毫欧,支持12V的栅源电压(VGS/V)。这些特性使其非常适合用于需要高效率、低损耗切换的应用,例如家用电器中的电源管理系统,或者作为便携式设备内部的开关组件,以保障电路在高频切换时依然能够保持稳定性和可靠性。
- 商品型号
- HPMV15UNEAR
- 商品编号
- C42401172
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032323克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个3000个/圆盘
总价金额:
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