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HSCT20N170
ID:72A VDSS:1700V RDON:45mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管具有卓越的性能参数，最大漏极电流ID为72A，能够支持高负载应用。其漏源电压VDSS高达1700V，适用于需要承受高压的工作环境。导通电阻RDON仅为45mΩ，有助于降低功耗并提高效率。栅源电压VGS范围在20V内，确保了良好的驱动兼容性。该器件适合于设计高效、紧凑且可靠的电源管理系统，以及在要求严格温度和频率特性的电子设备中使用。
- 商品型号
- HSCT20N170
- 商品编号
- C42389044
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 耗散功率(Pd) | 520W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 188nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.672nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.7pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 171pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ |
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