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HSCT20N120
ID:17A VDSS:1200V RDON:160mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有17A的额定电流（ID），适合用于要求不高但需稳定的电流应用中。它拥有1200V的最大漏源电压（VDSS），能够在高电压条件下可靠运作。该MOSFET的导通电阻（RDSON）为160毫欧，虽然较高，但在轻负载条件下依然能保持较好的效率。其栅源电压（VGS）的适用范围是-4V至+18V，这使得它能够适应多种控制信号。此款器件适用于需要高压、较低功率密度的应用场景，例如便携式电子设备充电器或小型电源转换装置。
- 商品型号
- HSCT20N120
- 商品编号
- C42389109
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 耗散功率(Pd) | 116W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 624pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 42pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 208mΩ |
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