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HNVH4L095N065SC1
ID:29A VDSS:650V RDON:60mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有29A的连续漏极电流能力与650V的漏源电压耐受水平，导通电阻为60mΩ，保证了较低的功率损耗。其栅源电压工作范围达到15V，适合于需要高效能和稳定性的电路设计中使用。该器件适用于要求高效率、快速开关速度及紧凑设计的各种电子设备，如高性能电源转换器和个人电子产品中的能量管理系统。
- 商品型号
- HNVH4L095N065SC1
- 商品编号
- C42389117
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 79mΩ |