温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HNTHL040N120SC1
ID:63A VDSS:1200V RDON:32mR N沟道
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此款碳化硅场效应管（MOSFET）拥有63A的连续电流ID，最高工作电压VDSS为1200V，导通状态下电阻RDSON为32毫欧，栅源电压VGS为15V，属于N沟道类型。其设计适用于高电压需求的电源转换应用，如高性能的电源供应器或精密的电力调节模块，能够提供稳定的电流控制并减少能量损耗，适用于对电压和电流有严格要求的应用场景。
- 商品型号
- HNTHL040N120SC1
- 商品编号
- C42389115
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 耗散功率(Pd) | 283W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.357nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 129pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ |