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HSCTW60N120G2
ID:55A VDSS:1200V RDON:40mR N沟道
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- 描述
- 这款碳化硅场效应管（MOSFET）具备优秀的电气特性，其连续电流ID可达55A，最大漏源电压VDSS为1200V。导通电阻RDSON仅为40毫欧，有助于减少导通损耗，提高效率。该MOSFET为N沟道类型，栅源电压VGS的最大值为18V，适用于需要高电压、大电流及高效能转换的应用场合，如高性能电源供应器、可再生能源系统中的逆变技术以及便携式充电设备等，能够显著提升系统的整体性能与可靠性。
- 商品型号
- HSCTW60N120G2
- 商品编号
- C42389110
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 耗散功率(Pd) | 278W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.44nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 171pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ |
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