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HNVHL160N120SC1
ID:18A VDSS:1200V RDON:160mR N沟道
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- 描述
- 这款碳化硅场效应管（MOSFET）具有18A的连续漏极电流（ID/A），能够承受高达1200V的漏源击穿电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON/mR）仅为160毫欧姆，在20V的栅源电压（VGS/V）下工作。作为一款N沟道MOSFET，它适用于高效率开关电源、太阳能逆变器以及其他需要高性能、高可靠性的电力转换系统中，能够在高频操作条件下减少能量损失，提升整体系统的能效比。
- 商品型号
- HNVHL160N120SC1
- 商品编号
- C42389113
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 606pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 196mΩ |
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