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HSCTWA60N120G24
ID:78A VDSS:1200V RDON:40mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有78A的连续电流ID，适用于要求严苛的高功率密度设计。其最大漏源电压VDSS为1200V，确保了在高压环境下的可靠运行。导通状态下，其低至40毫欧的RDSON有效降低了电力损耗。栅源电压VGS的绝对值可达18V，为驱动电路提供了灵活性。此MOSFET适合应用于需要高效能量转换的场合，例如高频开关电源、不间断电源系统以及太阳能逆变解决方案中，能够优化整体效率并增强系统的稳定性。
- 商品型号
- HSCTWA60N120G24
- 商品编号
- C42389111
- 商品封装
- TO-247-4L(TO-247-4)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 78A | |
| 耗散功率(Pd) | 405W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 131nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.101nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 161pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ |
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