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HSCT3060AL
ID:49A VDSS:650V RDON:33mR N沟道
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- 描述
- 这款碳化硅场效应管（MOSFET）具备49A的连续排水电流（ID），以及650V的最大漏源电压（VDSS），能够确保在高压环境中稳定工作。该器件导通电阻（RDSON）仅为33毫欧，在导通状态下能有效降低功耗。其栅源电压（VGS）阈值范围从-5V到+20V，提供了宽泛的控制信号兼容性。作为N沟道类型，此MOSFET适用于高频开关电源、电信设备以及其他需要高性能、高效率转换的应用中。
- 商品型号
- HSCT3060AL
- 商品编号
- C42389107
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 242W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.823nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ |
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