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HSCT040W65G34
ID:49A VDSS:650V RDON:33mR N沟道
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- 描述
- 该碳化硅场效应管（MOSFET）是一款高性能N沟道器件，具备49A的连续漏极电流能力和650V的漏源电压耐受能力。其导通电阻仅为33mΩ，确保了低损耗运行，而栅源电压范围为-5V至+20V，使得它在各种电路设计中表现出色。此MOSFET适用于需要高效能源转换与管理的应用场景，如电源供应、逆变器以及要求高可靠性和长寿命的工作环境。
- 商品型号
- HSCT040W65G34
- 商品编号
- C42389108
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.76克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 242W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.823nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ |
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