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HSCTW40N120G2VAG
ID:32A VDSS:1200V RDON:75mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有32A的连续排水电流（ID），并能够承受高达1200V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）在15V的栅源电压（VGS）下为75毫欧。此器件适用于要求苛刻的电源转换应用，比如高性能的不间断电源系统、电信设备的电源模块以及需要坚固耐用、高效转换能力的场合，可以实现更稳定的电力传输和更高的系统可靠性。
- 商品型号
- HSCTW40N120G2VAG
- 商品编号
- C42389103
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.39nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 58pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ |
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